Intel inlocuieste DRAM cu PRAM

Intel si-a dezvaluit o parte din planurile de “lupta” pentru 2008 anuntand ca in scurt timp va oferi pentru testare noua memorie phase-change, cunsocuta ca si PCM sau PRAM, urmand ca pana la sfarsitul anului sa inceapa productia de masa. Memoria PRAM este un inlocuitor al memoriei flash, fiind mult mai rapida si mai fiabila, si nu in ultimul rand putand fi construita la dimensiuni mult mai mici. Un alt punct forte al viitoarei vedete este fiabilitatea, in conditiile in care celulele memoriei flash se pot degrada dupa 10.000 de scrieri in timp ce PRAM rezista la mai mult de 100 de milioane de cicluri de scriere. Pentru implementarea acestui nou tip de memorie Intel a primit licenta inca din 2000 pentru utilizarea tehnologiei Ovonyx.