Samsung a realizat memorie flash pe 50 nm

Datorita avantului care l-a luat memoria NAND flash in ultimul timp , mai ales ca o alternativa mai rapida si mai economica a batranelor HDD-uri, dezvoltarea acestei tehnologii reprezinta una din prioritatile celor de la Samsung. Acestia au reusit zilele acestea finalizarea unor chip-uri de memorie flash de 16 Mb bazate pe procesul tehnologic de 50 nm. Si folosind si un design MLC (Multi Level Cell) cu page size de 4 KB (fata de versiunile anterioare cu 2 KB), a reusit sa dubleze viteza de citire si sa creasca de 1.5 ori viteza de scriere. Samsung a anuntat intentia de a produce hard disk-uri solide (SSD) de 128 GB pana la jumatatea lui 2008.